通过原子层蚀刻,显著提高了基于AlGaN的深紫外线发光二极管的无接触性能和壁塞效率

科学领域:

• 半导体设备制造业 半导体设备制造业
• 材料科学 是一种材料科学.
• 光电学是指光电子产品.

背景情况:

• 反应离子蚀刻 (RIE) 对于深紫外线 (DUV) 发光二极管 (LED) 是至关重要的.
• RIE降解了n-AlGaN表面,降低了n-接触性能和LED整体效率.
• 在n-AlGaN中的高含量加剧了蚀刻引起的表面损伤.

研究的目的:

• 研究原子层蚀刻 (ALE) 作为一种减轻RIE诱导的n-AlGaN.表面损伤的方法.
• 为了增强欧姆接触特性,提高DUV LED的性能.
• 为了优化ALE参数,在III-化物材料中进行无缺陷蚀刻.

主要方法:

• 使用RIE对n-AlGaN进行表层蚀刻,然后进行ALE处理.
• 对n-AlGaN.N.的欧姆接触的电气特性.
• 使用X射线光电子谱学 (XPS) 进行表面分析.

主要成果:

• ALE治疗显著改善了n-AlGaN的欧米接触性能.
• 使用ALE制造的DUVLED显示工作电压降低 (8.3V至5.2V在10mA) 和膝盖电压降低 (4.95V).
• 与参考设备相比,壁塞的峰值效率 (WPE) 增加了大约1.74倍.
• XPS分析证实ALE消除了等离子体诱导的损伤,减少了空缺,并增加了表面电子度.

结论:

• 在n-AlGaN的表面蚀刻过程中,ALE有效地减少了表面损伤.
• ALE是一种可行的技术,用于制造具有增强欧姆接触的高性能DUVLED.
• ALE适用于III-化物设备制造,通过消除表面缺陷和污染来提高性能.