在InGaAs/GaAs纳米电梯激光器中,在300毫米Si晶圆上单体生长的无形格子

科学领域:

• 材料科学 材料科学 材料科学
• 光电学是指光电子产品.
• 半导体物理 半导体物理

背景情况:

• 在上直接带隙的III-V材料的单立体生长对于光子集成电路至关重要.
• 在表生长过程中形成不合适的缺陷阻碍了高效的发光器的制造.

研究的目的:

• 研究纳米桥架工程 (NRE) 对上高质量的III-V生长的有效性.
• 为了比较使用蚀刻格子的分布式反激光器与无形格子的性能.

主要方法:

• 利用纳米工程 (NRE) 在狭窄的沟中捕获缺陷,以获得高晶质的III-V纳米.
• 制造分布式反激光器,通过在III-V纳米的顶部放置无形格.
• 进行了脉冲光学试验,以测量激光值.

主要成果:

• 使用NRE实现了高晶体质量的III-V纳米脊.
• 观察到的激光值为~7.84kW/cm2,比具有蚀刻格子的设备低约5倍.
• 无形格避免了表面状态缺陷,从而减少了载体损失.

结论:

• 在III-V纳米上的无形网格在激光性能上相比于蚀刻网格提供了显著的改进.
• 表面沉积物质的高质量得到了低激光值的证实.
• 这种方法为优化上的电驱动光子设备提供了一个有希望的途径.