使用低分子质量电阻 (<500大) 在石版画中接近安格斯特罗姆尺度分辨率.
Mohammad S M Saifullah1,2, Anil Kumar Rajak1, Kevin A Hofhuis1
1Paul Scherrer Institut, Forschungsstrasse 111, Villigen PSI 5232, Switzerland.
ACS nano
|August 20, 2024
概括
新的含金属电阻可以实现安格斯特罗姆尺度的图案,具有高分辨率和低粗度. 这一在电阻化学方面的突破克服了传统的权衡,使先进的半导体制造成为可能.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 纳米技术纳米技术
- 化学工程是化学工程的重要组成部分.
背景情况:
- 先进的半导体制造依赖于高分辨率的模式电阻.
- 现有的电阻面临着分辨率,线宽粗度和灵敏度之间的权衡.
- 安格斯特罗姆尺度的图案要求新的抗化学物质来克服这些局限性.
研究的目的:
- 为了开发一种新型的低分子质量,含有金属的抗体,用于高分辨率的图案设计.
- 为了研究这些新型电阻中溶解度切换的机制.
- 为了证明这些电阻在电子束光刻 (EBL) 和极紫外线光刻 (EUVL) 中的性能.
主要方法:
- 设计和合成模块化,低分子量 (<500 Da) 含金属的电阻.
- 使用一个由两个组件组成的系统:金属和一个结合的激素启动器.
- 通过二次电子生成和分子内部重新排列来研究暴露期间的分子和化学过程.
- 在高分辨率EBL和EUVL中测试电阻性能.
主要成果:
- 使用EBL证明记录1.9-2.0纳米的孤立图案和7纳米的半音频密度线.
- 在68mJ/cm2的EUVL中实现了12nm半调线空间特征.
- 在EBL和EUVL中显示的记录是低线宽粗度 (≤2nm) 和低Z因子 (0.6 × 10-8 mJ·nm) 在EBL和EUVL中.
结论:
- 含有金属的低分子质量的电阻提供了一条克服传统模式权衡的途径.
- 开发的抵抗平台使得高分辨率,低粗度和高灵敏度能够用于安格斯特罗姆尺度的光刻画.
- 单元细胞水平模式的潜力,为未来的半导体进步铺平了道路.
关键词:
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