在原子薄的Nb-杂MoS2中,THz排放和压电的显著提高2
Neetesh Dhakar1, Pin Zhao2, Hyeon Yeong Lee2
1Femtosecond Spectroscopy and Nonlinear Photonics Laboratory, Department of Physics, Indian Institute of Technology Delhi, New Delhi 110016, India.
ACS applied materials & interfaces
|August 23, 2024
概括
Nb-doping显著增强了二硫化物 (MoS2) 层中的太赫兹 (THz) 辐射生成. 这种兴奋剂还提高了用MoS制造的压电纳米发电机的性能.
科学领域:
- 凝聚物质物理学 凝聚物质物理学
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 纳米技术 纳米技术
背景情况:
- 二硫化物 (MoS) 是一种2D材料,在光电子领域具有潜在的应用.
- 太赫兹 (THz) 辐射生成对于各种光谱和成像技术至关重要.
- 在MoS2中控制THz排放和压电特性是一个活跃的研究领域.
研究的目的:
- 调查 (Nb) 兴奋剂在MoS2层中对THz辐射产生的影响.
- 探索THz光电流生成的潜在显微机制.
- 为了评估Nb-doped MoS2在压电纳米发电机中的性能.
主要方法:
- 五秒钟的光激发原始和Nb-doped MoS单层和双层.
- 在不同的光激发能 (在带间隙上方和下方) 下分析THz光电流生成机制.
- 使用MoS2的压电纳米发电器设备的制造和表征.
主要成果:
- 在Nb-doped MoS2 (∼0.05% Nb) 在上述带隙激发下观察到THz发射的多倍增强.
- 在低于带隙激发下,Nb-doping导致THz发射的1.5倍增强.
- 在Nb-doped MoS设备中观察到THz脉冲极性逆转和增强的压电性能.
结论:
- 在MoS2中,Nb-doping显著提高了THz发电效率和压电性能.
- Nb-doping修改了表面耗尽场,减少了选,影响了THz排放机制.
- Nb-doped MoS2显示出对先进的THz光电子和能量收集应用的承诺.
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