薄膜铁电光电-电子记忆器
Gong Zhang1, Yue Chen1, Zijie Zheng1
1Department of Electrical and Computer Engineering, National University of Singapore, Singapore, 119077, Singapore.
Light, science & applications
|August 23, 2024
概括
研究人员使用铁电环共振器开发了一种新的非挥发性光子电子记忆. 这种内存可以被电气和光学编程和删除,从而使未来的混合系统成为可能.
科学领域:
- 光子学和电子学和电子学.
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 非易失性记忆 (NVM) 是一种非易失性记忆.
背景情况:
- 桥接电子和光子电路需要集成的非易失性存储器.
- 目前的解决方案与大规模的互补金属氧化物半导体 (CMOS) 集成不兼容.
研究的目的:
- 通过实验证明一种非挥发性的光子电子记忆.
- 为了实现电气和光学访问,用于内存编程和删除.
主要方法:
- 使用一个三维单体集成的铁电环共振器.
- 用于用于内存操作的光学-电-光学转换.
主要成果:
- 成功演示了电气和光学编程/擦除.
- 在低电压 (5V) 实现了高光学灭比率 (6.6dB).
- 报告的内存持久度为4 × 10^4周期和多级存储,原始位误差率<5.9 × 10^-2.
结论:
- 开发的内存是混合电子光子系统的关键技术.
- 潜在的应用包括光子互连,高速数据通信和神经形态计算.
