Field Effect Transistor
Types of Semiconductors
Biasing of Metal-Semiconductor Junctions
MOSFET: Enhancement Mode
Semiconductors
Biasing of FET
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Xueping Li1,2, Zhuojun Wang1, Xiaojie Tang1
1College of Electronic and Electrical Engineering, Henan Normal University, Xinxiang, Henan 453007, China.
研究人员使用WSe2.2设计了一种新的5nm分裂门场效应晶体管 (FET). 这种可重新配置的晶体管可以实现动态极性控制,用于高级逻辑计算和设备集成.
科学领域:
背景情况:
研究的目的:
主要方法:
主要成果:
结论: