在化过程中抑制埋藏缺陷的形成,使明亮的矿发光二极管成为可能

Bo Song1, Yang Tang1, Xiaomeng Li1

  • 1Key Laboratory of Luminescence and Optical Information, Beijing Jiaotong University, Beijing 100044, China.

概括

我们通过用l-norvaline修改PEDOT:PSS层来改进矿发光二极管 (PeLED). 这种被动化策略有效地减少了缺陷,提高了设备的性能,实现了高亮度和外部量子效率.