单行和双行阳极排列的THz Schottky二极管芯片的热分析
Zenghui Liu1, Xiaobo Zhang2, Zhiwen Liang1
1State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-sen University, Guangzhou 510275, China.
Micromachines
|August 29, 2024
概括
化 (GaN) 斯科特基二极管与双排阳极显著减少了太赫兹频率乘数器中的热积累. 钻石基板进一步增强功率处理,以优化设备设计.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 电气工程 电气工程
- 半导体物理 半导体物理
背景情况:
- 化 (GaN) 肖特基二极管对于高功率的太赫兹 (THz) 应用至关重要.
- 有效的热管理对于这些设备的性能和可靠性至关重要.
研究的目的:
- 为了研究和比较GaN Schottky二极管与单行和双行阳极装置的热特性.
- 分析不同基板和几何参数对二极管热性能的影响.
- 为优化THz乘法器设计提供见解.
主要方法:
- 在合的朱尔加热和固体热传递条件下对GaN Schottky二极管进行详细的热模拟.
- 单行和双行阳极配置的系统分析.
- 评估各种基板材料和几何参数.
主要成果:
- 双排阳极排列使最大芯片温度降低40K,相比于在相同条件下单排排列的排列.
- 钻石基板在高温下表现出优越的耗电能力.
- 基板特性显著影响了Schottky二极管芯片的整体热管理.
结论:
- 双排阳极设计为THz应用中的GaN Schottky二极管提供了更好的热性能.
- 材料选择,特别是钻石基板,对于高功率的太赫兹设备设计至关重要.
- 基于模拟的优化是推进特拉赫兹频率乘数器GaN Schottky二极管的关键.
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