拉曼对化芯片的研究,在接铜基板后接
Claudia Mezzalira1, Fosca Conti1, Danilo Pedron1,2
1Department of Chemical Science, University of Padova, Via Marzolo 1, I-35131 Padova, Italy.
Micromachines
|August 29, 2024
概括
在微电子中使用的化 (Si3N4) 芯片中的压力是使用拉曼光谱学量化. 了解这种因接过程中热膨胀差异引起的应变,对于提高设备可靠性和性能至关重要.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 微电子工程 微电子工程
- 固态物理 固态物理
背景情况:
- 化 (Si3N4) 在微电子中对于被动和绝缘至关重要.
- 接工艺可以诱导半导体组件中的残余应变,原因是材料接口.
- 量化应变对于优化设备性能,寿命和可靠性至关重要.
研究的目的:
- 分析光电子元件中使用的化芯片中的热力学局部应变.
- 为了研究铜基板上的金 (AuSn) 接引起的应变.
- 建立一种在组装过程中量化半导体材料应变的方法.
主要方法:
- 使用拉曼光谱来研究β-化 (β-Si3N4) 芯片中的应变.
- 在-50°C至180°C的温度范围内进行测量.
- 分析了E1g拉曼峰值的变化,以计算局部应力和确定应变.
主要成果:
- 在铜基板上使用AuSn的接过程会在β-Si3N4芯片中引发显著的热力学应变.
- 应变主要归因于芯片,和基板之间的热膨胀系数不匹配.
- 拉曼光谱有效量化局部应变,将其与组装过程和材料特性相关联.
结论:
- 微拉曼光谱是一种强大的工具,用于评估微电子组件的应变.
- 了解和控制应变对于提高光电子设备的可靠性和性能至关重要.
- 这些发现使得人们能够做出明智的决策,优化设备设计和制造流程,以减轻应变效应.
