通过模拟方法研究深红至近红外 pc-LED 的性能,考虑颗粒的分布
Chenghang Li1, Zikeng Fang1, Ying Yan1
1State Key Laboratory of High-Performance Precision Manufacturing, Department of Mechanical Engineering, Dalian University of Technology, Dalian 116024, China.
Micromachines
|August 29, 2024
概括
在白色LED中优化深红至近红外 (DR-NIR) 粒子分布显著提高了性能. 战略性放置改善了光转换和辐射功率,为先进的DR-NIR光转换白色LED设计提供了途径.
科学领域:
- 光电学是指光电子产品.
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 固态照明 固态照明
背景情况:
- 深红至近红外 (DR-NIR) 对先进的转换白色LED (DR-NIR pc-wLED) 具有至关重要的作用.
- 在光膜内优化颗粒分布是最大化DR-NIR pc-wLED性能的关键.
研究的目的:
- 使用蒙特卡洛射线追踪建立DR-NIR电脑wLED的光学模型.
- 为了研究渐变粒子分布对光学性能的影响.
- 提供设计指南,以提高光效.
主要方法:
- 开发一个虚拟的多层光膜模型.
- 蒙特卡罗射线追踪的应用用于光学模拟.
- 对单型和多型DR-NIR光粒子分布的分析.
主要成果:
- 将DR-NIR粒子分散到远离蓝芯片的位置,增加了辐射功率.
- 将DR-NIR粒子集中在芯片附近,改善了蓝光到DR-NIR光的转换比率.
- 渐变变化影响了色彩染指数和相关的色彩温度,同时提高了DR-NIR带比.
- 重吸收效应,特别是与离芯片更近的粒子,增加了707nm辐射功率.
结论:
- 粒子分布显著影响DR-NIR pc-wLED的光学性能.
- 战略位置可以提高光转换效率和辐射功率.
- 开发的模型有助于在光膜的前设计中提高LED性能.
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