电场强度对中剂量测定准确性的影响,使用原子探头断层扫描
Bavley Guerguis1, Ramya Cuduvally2, Richard J H Morris3
1Department of Materials Science and Engineering, McMaster University, Hamilton, ON L8S 4L7, Canada.
Ultramicroscopy
|August 29, 2024
概括
较高的电场提高了使用原子探针断层扫描 (APT) 在中的量化. 这导致了更准确的剂量和深度概况,这对于半导体分析至关重要.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 纳米技术 纳米技术
- 表面科学是一门学科.
背景情况:
- 原子探头断层扫描 (APT) 是用于纳米级材料分析的强大技术.
- 精确量化 (Si) 中 (B) 等辅助剂对于半导体设备的性能至关重要.
- 表面电场对APT量化准确性的影响尚未完全理解.
研究的目的:
- 用APT研究表面电场对中的量化精度的影响.
- 评估电场强度如何影响剂量,深度概况和辐射分布.
- 为了确定植入的APT分析中的潜在量化工件.
主要方法:
- 利用原子探头断层扫描 (APT) 进行植入分析.
- 使用电荷状态比 (CSR (Si)) 作为表面电场的间接测量.
- 与NIST标准参考材料2137和二次离子质谱 (SIMS) 相比验证的APT结果.
主要成果:
- 较高的表面电场 (增加CSR(Si)) 导致剂量量测量更接近认证值.
- 在更高的电场中观察到更好的深度配置精度和更均的辐射分布.
- 较低的电场导致低估的剂量和人工拉伸的深度配置,局部排放工件.
结论:
- 表面电场强度对中的APT量化精度产生重大影响.
- 优化电场条件可以提高测量准确度并减少工件.
- 结果为在半导体研究中建立可靠APT测量的最佳实践提供了指导.
关键词:
原子探头断层扫描 (Atom probe tomography) 是一种可以检测原子探头的技术.(Boron) 是一种的物质.剂 剂 剂 是一种电场是一个电场.一个半导体半导体.表面迁移的迁移情况
