基于GaN的蓝色LED的外部量子效率提升,通过用TMAH溶液处理它们的全M面六角形表格

科学领域:

• 光电学是指光电子产品.
• 材料科学 材料科学 材料科学
• 半导体设备 半导体设备

背景情况:

• 以III-化物为基础的微型发光二极管 (微型LED) 正在获得各种应用的关注.
• 制造高效率的微型LED具有挑战性,原因是蚀刻过程造成的侧墙损坏.
• 侧墙缺陷充当非辐射重组中心,降低设备性能.

研究的目的:

• 研究一种方法来减少基于GaN的微型LED的侧墙缺陷.
• 通过减轻蚀刻引起的损伤来提高微型LED的效率.
• 为了展示一种新的方法来提高微型LED的性能.

主要方法:

• 制造一个基于GaN的单个蓝色微型LED,具有全M面六角形面板 (周径10μm).
• 用四甲基氧化 (TMAH) 溶液处理微LED面板.
• 在TMAH治疗前后对设备性能进行比较分析.

主要成果:

• 干蚀引入侧墙缺陷,损害了微型LED的性能.
• 构建一个全M面六角结构和TMAH治疗有效地减少了侧墙缺陷.
• 用TMAH处理的设备在低电流密度下显示出高峰外部量子效率 (EQE) 超过10%,比未处理的样品提高9%.

结论:

• 该研究提出了一种新的方法来提高基于GaN的微型LED的效率.
• 通过结构设计和化学处理消除侧墙缺陷对于高性能微型LED至关重要.
• 这种方法为推进微型LED技术提供了一个有希望的途径.