,

Wenlong E1,2, Wei Yi1,3, Honghe Ding4

  • 1State Key Laboratory of Molecular Reaction Dynamics, Dalian Institute of Chemical Physics, Chinese Academy of Sciences, Dalian 116023, China.

概括

研究人员开发了一种用于半导体上纳米结构的表面合成 (OSS) 的新方法. 通过将二氧化 (TiO2) 与间隙和氧气空隙进行合,它们使得石墨烯纳米带的受控生长成为可能,克服了以前的限制.