Types of Semiconductors
Imperfections in Crystal Structure: Stoichiometric Point Defects
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Atta Ul Haq1, Marius Buerkle2, Bruno Alessi2
1School of Engineering, Ulster University, York Street, Belfast BT15 1ED, UK.
这项研究引入了纳米晶体的锡集群兴奋剂,使可调节的带隙没有不稳定性. 这种新的方法实现了更小的带隙和独特的尺寸依赖行为,经过实验证实.
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