通过双束激光化在添加中的增强激活
Rasheed Ayinde Taiwo1, Yeongil Son1, Joonghan Shin1,2,3
1Department of Future Convergence Engineering, Kongju National University, 1223-24 Cheonandaero, Seobuk-gu, Cheonan 31080, Republic of Korea.
Materials (Basel, Switzerland)
|September 14, 2024
概括
双束激光火 (DBLA) 和单束激光火 (SBLA) 提高了半导体的性能. 与SBLA相比,DBLA在添加的中显示出更高的兴奋剂激活的潜力.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 半导体物理 半导体物理
背景情况:
- 激光化对于半导体制造至关重要.
- 优化剂的激活和电性质是关键.
研究的目的:
- 比较单束激光火 (SBLA) 和双束激光火 (DBLA).
- 调查对电特性,晶体结构和剂配置文件的影响.
- 在相等的激光功率下分析添加 (Si) 晶片.
主要方法:
- 对SBLA和DBLA技术进行比较分析.
- 使用激光化处理添加Si晶片的处理.
- 评估电性质,晶体结构和剂扩散配置文件.
主要成果:
- 无论是SBLA还是DBLA,都改善了电气性能,增加了载体度和减少了移动性.
- 观察到晶体结构的有利变化,没有缺陷,并改善了晶体性.
- DBLA实现了比SBLA更高的兴奋剂激活比率,具有类似的形状.
结论:
- 这两种激光回火技术都对半导体性能产生了积极的影响.
- DBLA 显示了增强多激活的潜力,具有最小的扩散.
- 需要进一步的研究来最终证实DBLA对兴奋剂激活和扩散的影响.
