Predicting Molecular Geometry
Types of Semiconductors
Schottky Barrier Diode
Metal-Semiconductor Junctions
您也可能阅读
通过共同作者、期刊和引用图与本文相关的文章。
Jiajia Zha1, Dechen Dong1, Haoxin Huang2
1Department of Electrical and Electronic Engineering, The University of Hong Kong, Pokfulam Road, Hong Kong, SAR, 999077, China.
(Te) 纳米结构是一种1D系统,由于其晶体结构,具有独特的电子和光电子特性. 本综述涵盖了Te的合成,特性和在电子和传感器中的应用.
科学领域:
背景情况:
研究的目的:
主要方法:
主要成果:
结论: