多核锡基宏循环有机金属电阻器用于EUV光刻法

科学领域:

• 材料科学 材料科学 材料科学
• 纳米技术纳米技术
• 化学 化学 化学

背景情况:

• 极端紫外线 (EUV) 光电法对于先进的半导体制造至关重要.
• 开发具有提高分辨率,灵敏度和线边粗度 (LER) 的高性能光电阻对于下一代微芯片至关重要.

研究的目的:

• 介绍和描述一种基于多核锡基宏环复合物的新型光电阻材料.
• 为了评估这个新的光电阻在EUV光刻法中的性能.

主要方法:

• 使用多核核磁共振 (NMR),FT-IR和单晶X射线衍射,合成和描述基于锡的宏环复合物.
• 对材料属性的评估,包括湿度,空气和热稳定性以及光化学反应性.
• 在薄膜上进行EUV光刻实验,然后对线边粗度 (LER) 进行分析并计算Z因子.

主要成果:

• 具有三核宏循环结构的光电阻表显示出良好的稳定性和光化学反应性.
• 通过X射线光电子和固态NMR光谱学证实了光化学交联.
• 欧欧V光刻画实现了20纳米半调图案,LER为1.1纳米,Z因子为1.28 × 10-8 mJ·nm3.

结论:

• 开发的基于锡的光电阻表现出了对EUV光刻版的有希望的性能.
• 它的性能,包括分辨率和LER,与现有的EUV光电阻抗具有竞争力.
• 这种材料代表了半导体制造光电阻技术的重大进步.