基于精密自燃聚合物的单元高分辨率双色 EUV 光电阻
1Department of Pharmacy, The First Affiliated Hospital of University of Science and Technology of China, and Laboratory of Precision and Intelligent Chemistry, Department of Polymer Science and Engineering, University of Science and Technology of China, 96 Jinzhai Road, 230026, Hefei, Anhui Province, China.
Angewandte Chemie (International ed. in English)
|September 21, 2024
概括
使用离散的自燃聚合物 (SIPs) 的高性能光电阻可以实现20nm以下的分辨率,用于电子束和极端紫外线光刻. 这些材料提供了更好的分辨率,减少了线边的粗度,以及出色的蚀刻性,解决了半导体制造的关键挑战.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 纳米技术纳米技术
- 化学工程是化学工程的重要组成部分.
背景情况:
- 电子束 (EB) 和极紫外线 (EUV) 石版对于半导体制造中的10nm以下分辨率至关重要.
- 开发EUV光电阻,平衡分辨率,线边粗度 (LER) 和灵敏度 (RLS) 是一个重大挑战.
- 自焚聚合物 (SIPs) 通过级联降解为信号放大提供了一个有前途的途径.
研究的目的:
- 引入基于离散自燃聚合物 (SIP) 的高性能,单元光电阻.
- 为了评估这些SIP的性能作为双色光电阻在EB和EUV光刻版下.
- 为了证明与分散SIP相比,在分辨率,LER和蚀刻阻力方面的改进.
主要方法:
- 单元自燃聚合物 (SIP) 的合成和表征.
- 制造基于SIP的离散和分散光电阻.
- 使用电子束和极端紫外线暴露的石版评价.
- 对分辨率,线边粗度 (LER) 和蚀刻阻力进行分析.
主要成果:
- 离散的SIP在EB和EUV石版画中表现出比分散的同行更优异的性能.
- 一个离散的SIP (12的DP) 实现了大约18nm分辨率和1.8nmLER,超过分散的SIP (21nm分辨率,2.5nmLER).
- 基于SIP的光电阻表现出了出色的蚀刻阻力,这是由于它们的芳香结构.
结论:
- 单组件离散SIP为高级光刻提供了可行的解决方案,解决了分辨率线边缘粗度敏感性 (RLS) 的权衡.
- 这些材料显示出下一代纳米结构和半导体设备制造的重大前景.
- 双色调功能和固有的信号放大使得离散的SIP对EUV光刻应用非常有吸引力.
