TiN

Shunda Zhang1,2, Tian-Yu Sun1,2,3, Zhen Wang4

  • 1Ningbo Institute of Materials Technology and Engineering, Chinese Academy of Sciences, Ningbo 315201, China.

Nano letters
|September 24, 2024
PubMed
概括

在化 (TiN) 薄膜中引入空隙调整了等离子体特性. 这项研究揭示了改变的电子带结构和载体有效质量是关键机制,推动了化等离子体器件的开发.

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