通过低压压缩成型和AgNW倒装战略提高PVDF/rGO/AgNW复合材料的电磁干扰屏蔽效率

科学领域:

• 材料科学 材料科学 材料科学
• 纳米技术纳米技术
• 电磁学 电磁学 电磁学 电磁学

背景情况:

• 银纳米线 (AgNW) 是有效的电磁屏蔽材料,因为它们的导电性.
• AgNWs 具有较差的机械性能,限制了它们在复合材料中的使用.
• 开发坚固的基于AgNW的复合材料需要在制造过程中解决机械完整性问题.

研究的目的:

• 使用PVDF/rGO/AgNW.创建高性能电磁屏蔽复合材料.
• 为了提高AgNW复合材料的机械稳定性和电磁屏蔽.
• 为了研究低压压缩成型和AgNW填充过程的影响.

主要方法:

• 制备PVDF/rGO/AgNW复合材料的方法.
• 使用低压压缩成型来保持AgNW的完整性.
• 采用AgNW填充过程来提高导电性和屏蔽.

主要成果:

• 低压压缩通过保留AgNW结构来改善电磁屏蔽.
• AgNW回填显著增加导电性 (一个数量级),只有1重%的AgNW.
• 总的电磁干扰屏蔽 (SE_T) 增加了23.3% (24.88dB到30.67dB).
• 吸收贡献 (SE_A/SE_T) 从84.2%上升到了92.8%.

结论:

• 开发的低压压缩成型和AgNW填充过程有效地增强了电磁屏蔽.
• AgNW 完整性对于性能至关重要,低压方法可以保持完整性.
• 背填充的AgNW通过增加波传播路径和通过多个反射吸收来改善屏蔽.