混合基酸外腔半导体激光器的最新进展
Min Wang1,2, Zhiwei Fang1,2, Haisu Zhang1,2
1The Extreme Optoelectromechanics Laboratory (XXL), School of Physics and Electronic Science, East China Normal University, Shanghai 200241, China.
Materials (Basel, Switzerland)
|September 28, 2024
概括
研究人员正在在薄膜酸 (TFLN) 平台上推进窄线宽激光器. 混合集成技术为光子集成电路 (PIC) 中的高性能,芯片上的激光源提供了一个有希望的途径.
科学领域:
- 光子学 是一个光子学.
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 集成光学 集成光学 集成光学
背景情况:
- 薄膜酸 (TFLN) 是大型光子集成电路 (PIC) 的关键材料.
- 在芯片上,电气调节,窄线宽激光器对于光通信和LiDAR等应用至关重要.
- 在TFLN上的电驱动,高功率,窄线宽激光器是一个新兴的研究领域.
研究的目的:
- 审查最近在TFLN平台上的窄线宽紧激光源的进展.
- 突出混合TFLN/III-V半导体集成技术的作用.
- 为TFLN PIC提供高性能芯片上的激光器提供替代解决方案.
主要方法:
- 对紧型外腔半导体激光器 (ECSL) 的审查.
- 分析具有各种外部腔结构的TFLN光子芯片,用于芯片上的光学反.
- 对TFLN和III-V半导体的混合集成技术的讨论.
主要成果:
- 基于TFLN光子芯片的ECSL的演示.
- 探索不同的光子结构,用于构建外部腔.
- 激光开发混合TFLN/III-V集成的进展.
结论:
- 混合TFLN/III-V集成是芯片上窄线宽激光器的一个有希望的方法.
- 这些集成激光器为未来的TFLN PIC和科学应用提供了潜力.
- 需要进一步的研究来开发高功率的电驱动源.


