在不同温度下程序删除操作间隔对3D电荷捕捉三级电池NAND闪存存储器可靠性的影响

科学领域:

• 固态物理 固态物理
• 电气工程 电气工程 电气工程
• 材料科学是一种材料科学.

背景情况:

• 三维电荷捕获 (3D CT) NAND闪存提供高容量和低成本.
• 对于多级细胞 (MLC) 技术,如三级细胞 (TLC) 和四级细胞 (QLC),内存可靠性至关重要.
• 程序 (P) 和删除 (E) 操作之间的间隔显著影响NAND闪存的可靠性.

研究的目的:

• 系统地调查P/E周期间隔对3D CT TLC NAND闪存可靠性的影响.
• 为了分析不同温度和P/E周期的影响,它依赖于内存性能.
• 为优化NAND闪存系统寿命提供见解.

主要方法:

• 在不同温度和循环数下,P/E循环间隔的表征.
• 分析程序干扰 (PD),阅读干扰 (RD) 和数据保留 (DR).
• 在高温 (HT) 和室温 (RT) 时的故障位数 (FBC) 的比较.

主要成果:

• 在HT PD期间的故障位数比RT PD低.
• 上位移动错误主导HT PD,而下位移动错误主导RT PD.
• 根据工作温度,建议对3D CT TLC NAND进行不同的P/E间隔.

结论:

• 3D CT TLC NAND 的内存可靠性对 P/E 间隔和工作温度敏感.
• 调整 P/E 间隔可以减轻 PD 等可靠性问题,并改善数据保留.
• 这些发现为优化NAND闪存系统的运行寿命提供了指导.