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Updated: Jun 11, 2025
11:13
Analysis of Contact Interfaces for Single GaN Nanowire Devices
Published on: November 15, 2013
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纳米银无压烧结工艺在SiC电源设备包装中的残余应力和变形分析
Wenchao Tian1,2, Dexin Li1, Haojie Dang1
1School of Electro-Mechanical Engineering, Xidian University, Xi'an 710071, China.
Micromachines
|September 28, 2024
概括
这项研究优化了用于功率半导体设备的纳米银无压烧结. 最佳参数减少了剩余应力29.38%,提高了设备的可靠性.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 机械工程 机械工程
- 半导体制造业 半导体制造业
背景情况:
- 芯片粘合对于功率半导体包装至关重要,纳米银烧结是关键技术.
- 与其他方法相比,纳米银无压烧结中的热应力研究有限.
研究的目的:
- 研究纳米银作为连接材料的无压烧结过程.
- 分析工艺参数对电源设备残余应力和扭曲的影响.
主要方法:
- 使用有限元软件来模拟纳米银无压烧结工艺.
- 使用控制变量方法和直角实验来分析和优化参数.
主要成果:
- 最大的残余应力发生在芯片接器接口上,导致凸曲.
- 其余应力随着烧结温度和冷却速度的增加而增加,随着厚度的减少而减少,并随着面积的变化而变化.
- 烧结温度,冷却速度,面积和厚度以下降的顺序影响了应力.
结论:
- 最佳的工艺参数显著降低了纳米银层的剩余应力29.38%.
- 这种优化提高了功率半导体设备的可靠性和性能.
