室温 通过溶液合成原子层沉积原子层沉积

科学领域:

• 材料科学 材料科学 材料科学
• 纳米技术纳米技术
• 化学工程是化学工程的重要组成部分.

背景情况:

• 原子层沉积 (ALD) 能够实现精确的薄膜生长.
• (Te) 是一种重要的半导体材料,具有多种应用.
• 开发Te的低温沉积方法对于基板兼容性至关重要.

研究的目的:

• 展示一种基于溶液的新型原子层沉积 (sALD) 方法,用于 (Te) 薄膜.
• 为了优化/化基板上的Te沉积的生长参数.
• 描述沉积的膜的形态,结晶性和纯度.

主要方法:

• 溶液原子层沉积 (sALD) 使用四化物 (TeCl4) 和 bis ((三乙) -化物 ((TES) 2Te) 在托卢烯中的前体.
• 系统地改变脉冲和清洗时间,以优化参数.
• 使用扫描电子显微镜 (SEM),传输电子显微镜 (TEM),X射线衍光测量 (XRD) 和X射线光发射谱学 (XPS) 的表征.

主要成果:

• 在较高的沉积周期中形成晶状,针状的结晶体,其尺寸和表面覆盖面增加.
• 观察一种无形的碳外和归因于有机溶剂的含.
• 高纯度膜具有最小的表面氧化和有效的副产品去除,由XPS证实.
• 在环境温度下,Te在/化基板上成功沉积.

结论:

• 开发的sALD工艺是一种可行且温和的方法,用于沉积高纯度膜.
• 该技术为制造基于的纳米结构和薄膜在各种基板上提供了一个有希望的替代方案.
• 环境温度处理有利于将与温度敏感材料相结合.