新型Al/CoFe/p-Si和Al/NiFe/p-SiMS型光二极管用于传感

科学领域:

• 材料科学 材料科学 材料科学
• 电气工程 电气工程
• 固态物理 固态物理

背景情况:

• 基于 (Si) 的金属半导体类型光二极管对于光电子应用至关重要.
• 研究新型金属接触物,如-铁 (CoFe) 和-铁 (NiFe),对于提高光二极管性能至关重要.

研究的目的:

• 为了构建和比较Al/NiFe/p-Si和Al/CoFe/p-Si光二极管的性能.
• 分析这些金属半导体设备的结构,电气和光学特性.
• 评估照明对设备特征的影响,并确定优质光二极管配置.

主要方法:

• 薄膜沉积CoFe和NiFe层在p型 (p-Si) 基板上通过喷雾.
• (Al) 金属接触器是使用热蒸发制造的.
• 薄膜结晶性和表面形态的表征.
• 在黑暗和不同的照明条件下使用电流-电压 (I-V) 测量来研究电气和光学性能.

主要成果:

• 无论是Al/NiFe/p-Si还是Al/CoFe/p-Si二极管都是成功制造和表征的.
• 与Al/CoFe/p-Si对应物相比,Al/NiFe/p-Si光二极管表现出优越的整形性能.
• 观察到这两种二极管的屏障高度都很高,随着照明的增加而增加,这表明光线依赖性能.
• 电流电压分析揭示了偏离理想的二极管行为,归因于介层的存在.

结论:

• 与Al/CoFe/p-Si设备相比,Al/NiFe/p-Si金属半导体类型光二极管的性能得到了提高.
• 照明显著影响这些基光二极管的屏障高度和电气参数.
• 这些发现为设计和优化金属半导体光二极管用于光电子应用提供了宝贵的见解.