铁磁性Tb/Co多层,通过离子轰炸形成图案,作为磁泳的基板
Maciej Urbaniak1, Daniel Kiphart2, Michał Matczak2
1Institute of Molecular Physics, Polish Academy of Sciences, Mariana Smoluchowskiego, 17 60-179, Poznań, Poland. urbaniak@ifmpan.poznan.pl.
Scientific reports
|October 10, 2024
概括
聚焦离子束辐射会改变Tb/Co多层的磁性,从而产生磁场梯度. 这些梯度使得超偏磁珠的可控移动成为潜在的芯片上的实验室应用.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 纳米技术 纳米技术
- 生物物理学的生物物理.
背景情况:
- 垂直磁性异构 (PMA) 材料对于磁性存储和自旋电子设备至关重要.
- 磁性特性的局部修改可以创建复杂的磁场景观.
- 使用磁场控制微观物体是微流体学和芯片上的实验室系统的一个关键挑战.
研究的目的:
- 为了研究离子束修改的铁磁多层磁场生成能力.
- 为了证明使用这些工程磁场对超强磁珠的控制操纵.
- 探索这个系统在微观运输应用中的潜力.
主要方法:
- 基于Tb/Co的铁磁多层的制造.
- 用30keV的Ga+离子对焦离子束 (FIB) 辐射,以局部改变磁性.
- 观测超偏磁珠在水中悬浮的运动,在有图案的磁结构上.
- 应用时间变化的外部磁场来控制珠子动态.
主要成果:
- 离子轰炸诱导了有效磁化中的显著局部变化,产生了高磁场梯度.
- 超偏磁珠响应了由图案磁结构产生的磁静态能量景观.
- 使用外部磁场实现了对珠子的控制推进,在10Hz时达到高达40μm/s的速度.
- 珠子运动可以通过调整外部场参数来调整.
结论:
- 聚焦离子束辐射是一种有效的方法,用于模拟磁性多层,以创建可控制的磁场景观.
- 工程磁场可以精确地操纵微流体环境中的超偏磁珠.
- 这种技术显示出开发用于传感和操纵应用的新型实验室芯片设备的前景.
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