零电 GaGeX (X = N,P,和As) 半导体具有拉曼活性和高载体流动性,用于多功能应用:一个第一原则的模拟
Tuan V Vu1,2, Nguyen T Hiep3,4, Vo T Hoa5
1Laboratory for Computational Physics, Institute for Computational Science and Artificial Intelligence, Van Lang University Ho Chi Minh City Vietnam tuan.vu@vlu.edu.vn.
RSC advances
|October 11, 2024
概括
我们介绍了稳定的GaGeX2单层,突出了GaGeAs2 .
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 凝聚物质物理学 凝聚物质物理学
- 计算化学计算化学
背景情况:
- 二维 (2D) 材料为先进的应用提供了独特的特性.
- 探索新的二维材料对于下一代电子和能源设备至关重要.
研究的目的:
- 研究新型GaGeX2 (X = N,P,As) 单层的结构,振动,电子,压电和传输特性.
- 评估它们在多功能应用中的潜力.
主要方法:
- 第一个原则的模拟.
- 一开始的分子动力学.
- 凝聚能和声分散光谱分析.
- 电子带结构计算.
- 运营商移动性的估计. 运营商移动性的估计.
主要成果:
- GaGeX2单层表现出极好的能量,动态和热力学稳定性.
- 在GaGeAs2单层中显示出高压电系数 (d11 = -1.23 pm V-1).
- 对于光伏应用,GaGeP2和GaGeAs2具有最佳的带隙 (1.75 eV和1.15 eV).
- 观察到异型载体流动性,GaGeAs2显示出优异的电子流动性 (高达2270.17 cm2 V-1 s-1).
结论:
- GaGeX2单层,特别是GaGeAs2,是多功能设备的有希望的候选者.
- 这些材料提供了高压电性,合适的带隙和出色的载体移动性的组合.
- 这些发现为新的电子,光电子,压电和光伏应用铺平了道路.
