调整脉冲计数对由原子层沉积制备的NiO薄膜的影响
Xuanfei Kuang1, Zongtao Liu1, Yang Hong1
1Institute for Solar Energy Systems, School of Physics, Sun Yat-Sen University, Guangzhou, Guangdong Province 510006, China. liangzc@mail.sysu.edu.cn.
Physical chemistry chemical physics : PCCP
|October 16, 2024
概括
这项研究优化了使用原子层沉积 (ALD) 的氧化 (NiO) 薄膜,以提高孔运输. 优化的NiO薄膜将太阳能电池的效率提高了近1.1%,证明了它们在可再生能源应用中的潜力.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 纳米技术 纳米技术
- 可再生能源可再生能源是可再生能源.
背景情况:
- 氧化 (NiO) 是一个有前途的p型半导体材料.
- 高效的孔运输层对于高性能太阳能电池至关重要.
- 原子层沉积 (ALD) 提供精确控制薄膜特性.
研究的目的:
- 使用ALD准备和特征NiO电影.
- 为了研究ALD参数对NiO薄膜特性的影响.
- 为了评估NiO薄膜作为太阳能电池中的孔输送层.
主要方法:
- 原子层沉积 (ALD) 用于NiO薄膜制造.
- 在ALD期间改变脉冲的数量.
- 薄膜形态,组成,光学和电气性能的表征.
- 制造和测试具有NiO孔输送层的太阳能电池.
主要成果:
- 通过调整脉冲,ALD启用了可调节的NiO薄膜特性.
- 增加的脉冲改变了Ni金属和Ni (OH) 2含量.
- 化后显著提高了NiO膜的性能.
- 薄膜提高了太阳能电池的功率转换效率 (PCE) 从17.89%提高到18.89%.
结论:
- ALD是一种可行的技术,用于制造高质量的NiO薄膜.
- 优化的NiO薄膜作为有效的孔输送层.
- 在太阳能电池中使用NiO薄膜可以提高能量转换效率.


