在Yb植入的β-Ga2O3中,辐射诱导的缺陷的异质性
Renata Ratajczak1, Mahwish Sarwar2, Damian Kalita3
1National Centre for Nuclear Research, ul. Soltana 7, Otwock, 05-400, Poland. Renata.Ratajczak@ncbj.gov.pl.
Scientific reports
|October 21, 2024
概括
与稀土合的氧化物 (β-Ga2O3) 显示出对高功率LED的承诺. 这项研究表明,晶体的方向显著影响辐射诱导的缺陷,对于制造这些设备至关重要.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 半导体物理 半导体物理
- 辐射伤害 辐射伤害
背景情况:
- 稀土添加氧化物 (β-Ga2O3) 是用于高功率电子产品的有希望的材料,特别是在辐射严重的环境中.
- 了解辐射引起的缺陷对于β-Ga2O3器件的可靠制造和性能至关重要.
研究的目的:
- 为了研究β-Ga2O3.3中辐射诱导的缺陷的异构性.
- 分析晶体学定向对离子植入和回火后结构变化的影响.
主要方法:
- 为了研究结构变化,采用了拉瑟福反射光谱/通道 (RBS/c) 技术.
- 使用麦卡西代码的先进计算机模拟支持了实验分析.
- 研究了β-Ga2O3的两个主要结晶学方向 (-201) 和 (010).
主要成果:
- 与 (010) 导向相比,Yb离子植入引发了 (-201) 导向中的显著更高水平的扩展缺陷.
- 简单缺陷的度和行为在两个方向上都很相似,这表明存在多种缺陷类型.
- 不管晶体的方向如何,Yb离子主要占据了间歇点,并且在回后保持稳定.
结论:
- 晶体的方向强烈地影响了Yb离子植入的β-Ga2O3.3中结构损伤的程度.
- 这些发现澄清了取决于方向的损伤水平,这对于优化设备制造至关重要.
- 这项研究提高了对β-Ga2O3缺陷结构的理解,以便在实际应用中.
