硫化度对二维SnS2薄膜的影响,通过在化过程中原子层沉积

Heejun Yoon1, Hyeongtag Jeon1,2

  • 1Department of Nanoscale Semiconduector Engineering, Hanyang University, Seoul 133-791, Republic of Korea.

Nanotechnology
|October 22, 2024
PubMed
概括

在高纯度硫化大气中,在350°C的二硫化 (SnS2) 薄膜上进行回后,可显著改善结晶性和电性质. 这种方法优化了SnS2薄膜,用于先进的电子应用.