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Updated: May 6, 2026
08:45
Fabrication of Spatially Confined Complex Oxides
Published on: July 1, 2013
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纳米级湿蚀刻的相互连接有机溶液
Kerong Deng1,2, Ivan Erofeev1,3, Angshuman Ray Chowdhuri4
1Centre for BioImaging Sciences, Department of Biological Sciences, National University of Singapore, Singapore, 117557, Singapore.
Small (Weinheim an der Bergstrasse, Germany)
|October 23, 2024
概括
研究人员使用有机溶液开发了用于 (Mo) 纳米线的新湿蚀刻方法. 这些技术可以对半导体互连进行精确的纳米控制,确保光滑的蚀刻配置文件.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 纳米技术 纳米技术
- 化学工程是化学工程的重要组成部分.
背景情况:
- (Mo) 对于半导体相互连接至关重要,特别是对于10nm以下的纳米结构.
- 现有的Mo湿蚀刻方法在纳米尺度上难以实现光滑的配置文件.
研究的目的:
- 探索新的湿化学蚀刻方法用于有图案的Mo纳米线 (NW).
- 使用有机溶液实现Mo的高度可控和光滑的纳米级蚀刻.
主要方法:
- 使用的酸 (CAN) 溶于酸 (ACN) 中,用于湿蚀刻.
- 研究了两种蚀刻途径:室温的数字循环方案和60°C的直接蚀刻.
主要成果:
- 数字循环方案实现了每循环约1.6nm的自我限制的Mo沉.
- 在60°C的直接蚀刻提供了约2nm/min的时间控制的Mo沉率.
- 这两种方法都产生了光滑和均的蚀刻形状,不管Mo晶体的粒度方向如何.
结论:
- 开发了可控制的纳米级Mo蚀刻技术,使用有机CAN/ACN溶液.
- 这些方法适用于制造具有10nm以下特征的先进半导体互连.
- 该过程确保了下一代电子设备所必需的高质量的蚀刻配置文件.
