在PtSe2材料的结构和电子特性上的层数和应变效应2
Rania Amairi1, Adlen Smiri1,2, Sihem Jaziri1,3
1Faculté des Sciences de Bizerte, Laboratoire de Physique des Matériaux: Structure et Propriétés, Université de Carthage, 7021 Jarzouna, Tunisia.
使用DFT探索化 (PtSe2) 带隙调. 应变工程提供了一种控制PtSe2的方法.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 凝聚物质物理学 凝聚物质物理学
- 计算化学计算化学
背景情况:
- 低维材料的带隙工程对于光电子学至关重要.
- 二化 (PtSe2) 从半金属转变为半导体,层数减少.
- 了解层依赖性属性是新型电子应用的关键.
研究的目的:
- 通过使用DFT,研究层数对PtSe2结构和电子特性的影响.
- 评估PtSe2.2的各种范德瓦尔斯 (vdW) 校正的准确性.
- 通过层间距离和垂直应变来探索带隙鱼能力.
主要方法:
- 密度函数理论 (DFT) 的计算.
- 应用和比较各种范德瓦尔斯 (vdW) 校正 (vdW-DF,rVV10,等等) 的方法. ) 的情况.
- 对结构参数 (层间距离) 和电子特性 (带隙) 的分析.
主要成果:
- 对于半金属到半导体的过渡层,vdW 校正给出了不同的预测.
- 带隙对层间距离敏感,因Se-p轨道贡献而随着分离而增加.
- vdW-DF和rVV10的校正显示与实验数据的最佳一致.
- 垂直压缩应变可以调整双层PtSe2 (BL) 的带隙,使其在17%的应变下具有半金属性质.
结论:
- 在少数层的PtSe2.2中,结构性和电子性质之间存在强烈的相关性.
- 应变工程为调整 PtSe2.2 的带隙提供了一个有效的途径.
- 这项工作为设计基于PtSe2的光电子设备提供了洞察力.
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