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Yoon Jung Lee1,2, Eun Seok Choi3, Ji Hyun Baek1

  • 1Department of Material Science and Engineering, Research Institute of Advanced Materials, Seoul National University, Seoul, 08826, Republic of Korea.

概括

这项研究利用了SrCoO2.5记忆元中的拓性相过渡来实现可靠的人工突触. 这种方法增强了突触重量更新,提高了神经网络的性能和耐用性.