GeTe

L J Gong1, Q Z Han2, J Yang3

  • 1School of Physics, Beijing Institute of Technology, Beijing 100081, People's Republic of China.

Nanotechnology
|October 29, 2024
PubMed
概括

新设计的 Telluride (GeTe) 单层在广泛的温度范围内表现出极好的热电性能. 与现有化合物相比,这些材料的优点 (ZT) 比较高,为高效的热电器件铺平了道路.