氧化剂度和磨料类型对4H-SiC抛光工艺的界面粘合和材料去除的影响
Yuqi Zhou1, Kezhong Xu1, Yuhan Gao1
1Institute of Microsystems, School of Mechanical Science and Engineering, Huazhong University of Science and Technology, 1037 Luoyu Road, Wuhan, Hubei Province, 430074, P. R. China. zhufulong@hust.edu.cn.
Physical chemistry chemical physics : PCCP
|October 29, 2024
概括
用SiO2磨砂剂和过氧化 (H2O2) 抛光4H-SiC可以通过化学键增强材料的去除. 较高的H2O2度提高了抛光率,与钻石磨砂剂不同.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 化学工程是化学工程的重要组成部分.
- 表面科学是一门学科.
背景情况:
- 在4H-SiC抛光中确定化学效应是具有挑战性的.
- 了解材料去除机制对于优化半导体制造至关重要.
研究的目的:
- 研究4H-SiC用钻石和SiO2磨砂剂进行抛光,使用不同度的H2O2.
- 阐明材料去除中的化学氧化和机械磨损之间的相互作用.
主要方法:
- 采用了反应力场分子动力学模拟.
- 模拟分析了4H-SiC与钻石和SiO2磨砂剂在H2O2溶液中的相互作用.
主要成果:
- 4H-SiC被H2O2氧化发生在原子尺度上,但不会导致单独的去除.
- 机械作用和增加的H2O2度促进了氧化.
- 在钻石磨砂剂中,机械去除占主导地位,掩盖了H2O2效应.
- 对于SiO2磨料,化学键的去除是关键;较高的H2O2增加了去除率.
结论:
- 化学反应本身并不能去除4H-SiC材料.
- SiO2磨砂抛光对H2O2度更敏感,增强了材料的去除.
- 结果指导了用于4H-SiC抛光的磨料和氧化剂的选择.
