,.

Svetlana Polivtseva1, Olga Volobujeva1, Ivan Kuznietsov1

  • 1School of Engineering, Department of Materials and Environmental Technology, TalTech, Ehitajate tee 5, 19086 Tallinn, Estonia.

PubMed
概括

本研究引入了半导体的新缺陷工程策略,使有效的阴离子交换反应和材料定制成为可能. 该方法增强了抗菌活性等特性,并允许大面积的薄膜生产.