Second-Order Circuits
Biasing of P-N Junction
Biasing of Metal-Semiconductor Junctions
First-Order Circuits
Induced Electric Dipoles
Biasing of FET
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Yuliang Chen1, Zhong Wang1, Chongwen Zou2
1Max Planck Institute of Microstructure Physics, 06120 Halle, Germany.
研究人员使用二维材料二化 (WSe2) 开发了一种新型电子设备. 该设备通过为先进的电子设备创建多个可调节的p-n连接器来实现并行逻辑操作.
科学领域:
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主要成果:
结论: