在稀释磁性半导体 (Ga,Mn) 中的室温铁磁MnGa纳米粒子作为薄膜:制备和表征
Juanmei Duan1,2,3, Zichao Li2, Viktor Begeza2
1Key Laboratory of Optoelectronic Devices and Systems of Ministry of Education and Guangdong Province, College of Physics and Optoelectronic Engineering, Shenzhen University, Shenzhen 518060, People's Republic of China.
Nanotechnology
|November 4, 2024
概括
研究人员开发了一种新方法,用嵌入的MnGa纳米颗粒制造 (Ga,Mn) As,在先进的旋转器件中显著提高其基里温度 (Tc) 超过400K.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 凝聚物质物理学 凝聚物质物理学
- 纳米技术纳米技术
背景情况:
- 由于自旋和电荷操纵,像 (Ga,Mn) As这样的稀释磁性半导体对自旋电子有希望.
- 一个主要的限制是它们的低基里温度 (Tc) 约为200 K,阻碍了实际应用.
研究的目的:
- 开发一种制备 (Ga,Mn) As的方法,显著提高基里温度 (Tc).
- 研究用于自旋电子应用的 (Ga,Mn) As矩阵内MnGa纳米粒子的形成.
主要方法:
- 磁喷射沉积Mn在GaAs上的沉积.
- 纳米秒脉冲激光火 (PLA) 在一个临界能量密度范围 (0.4-0.5 J cm-2).
主要成果:
- 成功形成了嵌入在 (Ga,Mn) As矩阵中的MnGa纳米粒子.
- 达到400K以上的基里温度 (Tc).
- 报告了最高的强制性 (760 Oe),和磁化 (11.3 emu cm−3) 和残余磁化 (9.6 emu cm−3).
结论:
- 开发的方法可以创建混合铁磁金属/稀释磁性半导体系统.
- 这种方法为探索旋转运输现象提供了一个平台.
- 这种材料对开发下一代自旋电子设备充满希望.
更多相关视频
15:58Measurement of Coherence Decay in GaMnAs Using Femtosecond Four-wave Mixing
Published on: December 3, 2013
5.7K
06:49Radio Frequency Magnetron Sputtering of GdBa2Cu3O7âˆ'ÃŽ ´/ La0.67Sr0.33MnO3 Quasi-bilayer Films on SrTiO3 STO Single-crystal Substrates
Published on: April 12, 2019
7.6K
