一种基于半导体超分子Co (II) -金属凝的电阻随机访问存储器 (RRAM) 设计,具有良好的耐久性
Arpita Roy1, Subhendu Dhibar2, Saurav Kumar1
1Department of Physics, Indian Institute of Technology Patna, Bihar, 801106, India.
Scientific reports
|November 5, 2024
概括
为了先进的电子应用,合成了一种新的 (II) 金属凝 (CoA-TA). 这种超分子材料表现出对存储器设备有前途的电阻切换行为.
科学领域:
- 超分子化学 超分子化学
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 纳米技术 纳米技术
背景情况:
- 开发用于电子应用的新型超分子金属非常重要.
- 低分子量凝器 (LMWGs) 为材料设计提供了多功能平台.
研究的目的:
- 为了合成和表征一个超分子(II) 金属凝 (CoA-TA).
- 调查其对电子设备应用的潜力,特别是电阻随机访问存储器 (RRAM).
主要方法:
- 使用-1,3,5-三碳酸和Co (II) 离子合成CoA-TA.
- 用于结构和机械表征的风湿学,FESEM,TEM,EDX,FTIR和PXRD分析.
- 制造和测试金属半导体金属肖特基二极管和RRAM设备.
主要成果:
- 成功地在室温下合成了具有层次岩石网络结构的CoA-TA金属凝.
- 在基于CoA-TA的RRAM设备中展示双极电阻切换,具有高的ON/OFF比率 (~414) 和耐久性 (>5000周期).
- 在Schottky二极管中观察到的电荷传输行为,表明电子应用的潜力.
结论:
- 合成的CoA-TA金属凝是一种具有调节性质的稳定材料.
- 基于CoA-TA的RRAM设备显示出非挥发性内存,神经形态计算和灵活电子的巨大潜力.
- 高效的合成和强大的性能凸显了这种金属凝对未来电子应用的优势.
