电极位置和特定领域的认知变化,在帕金森病下下丘脑核深脑刺激后发生
Michael Zargari1,2, Natasha C Hughes1,2, Jeffrey W Chen1,3
1Department of Neurosurgery, Vanderbilt University Medical Center, Nashville, Tennessee, USA.
Neurosurgery
|November 8, 2024
概括
在左下thalamic核 (STN) 中的高级活性电极接触与帕金森病 (PD) 患者进行深度大脑刺激 (DBS) 的口语记忆下降有关. 这一发现可能有助于改进DBS编程,以尽量减少认知副作用.
科学领域:
- 神经科学是一个神经科学.
- 神经外科 神经外科
- 认知科学 认知科学
背景情况:
- 深度大脑刺激 (DBS) 是帕金森病 (PD) 运动症状的关键治疗方法.
- 术后的认知变化可能发生在DBS后的一些患者中.
- 之前的研究表明,中间电极接触与一般认知能力下降有关.
研究的目的:
- 调查在PD患者中STN DBS后活性电极接触位置和特定领域认知变化之间的特定关系.
- 为了确定精确的电极放置是否会影响特定的认知功能.
主要方法:
- 83名PD患者的回顾性队列研究,这些患者接受了亚thalamic核 (STN) DBS.
- 神经心理学测试将认知变化分类为注意力,执行功能,语言,口头记忆和视觉空间领域.
- 分析将活性电极接触位置 (使用AC/PC坐标) 与特定领域的认知变化相关联,控制临床变量.
主要成果:
- 在左侧STN的高级活性电极接触位置与口语记忆的下降有显著的关联 (P = .002).
- 更高的手术前记忆分数也与记忆恶化相关 (P < .0001).
- 电极位置与其他认知领域的变化之间没有发现显著的关联.
结论:
- 左STN内的高级活性电极接触与接受STN DBS的PD患者的口头记忆下降有关.
- 这一发现增强了对DBS后认知变化的理解,并可以为未来的手术准和编程策略提供信息.


