兴奋剂对SrRuO3薄膜中的霍尔电阻和磁性异性质的影响
Pooja Kesarwani1, Santosh K Khetan2, B Ojha3
1Department of Physics, Indian Institute of Technology, Kanpur 208016, India.
Journal of physics. Condensed matter : an Institute of Physics journal
|November 13, 2024
概括
在酸鲁酸 (SrRuO3) 薄膜中的Cr doping保持垂直磁性异性,并引入异常的霍尔效应. 本研究探讨了这些相关的铁磁氧化物中的缺陷和相关性.
科学领域:
- 凝聚物质物理学 凝聚物质物理学
- 材料科学 是一种材料科学.
- 氧化物电子 氧化物电子
背景情况:
- 相关的铁磁氧化物表现出复杂的霍尔效应,受到自旋轨道合和磁场的影响.
- 石酸 (SrRuO3) 是研究漫游铁磁性的关键材料,对缺陷和应变敏感.
- 调查兴奋剂效应对于理解和调整 SrRuO3 特性至关重要.
研究的目的:
- 检查 (Cr) 兴奋剂对SrRuO3薄膜中的磁性异构和霍尔效应的影响.
- 分析Cr-doped SrRuO3.3 的结构性,光谱性,磁性和磁传输性.
- 为了建立一个异常的霍尔电阻的场温度相位图.
主要方法:
- 在SrTiO3基板上生长Cr-doped SrRuO3薄膜.
- 横截面传输电子显微镜用于界面分析.
- 磁性和磁传输性质的综合性表征.
主要成果:
- 垂直的磁性异质性保持在多膜中,厚度高达113纳米.
- 电阻显示了在基里温度以下的T^2依赖,表明了混乱和局部化.
- 在化膜中观察到高达56纳米厚度的异常霍尔信号,归因于Cr和Ru空缺.
结论:
- 在SrRuO3.3中,Crdoping会影响磁性异构性和霍尔效应.
- 兴奋剂引入的缺陷显著影响电子传输和霍尔信号异常.
- 为异常的霍尔电阻构建了一个详细的HT相图.
