涂层辅助的皮秒激光除用于SiC陶的微结构制造

科学领域:

• 材料科学 材料科学 材料科学
• 制造业 工程 制造工程
• 激光物理 激光物理

背景情况:

• 碳化 (SiC) 陶对于高精度元件至关重要.
• 超快的激光处理是SiC微纳米制造的关键.
• 激光切除通常会诱导永久沉积层,损害精度.

研究的目的:

• 引入一种涂层辅助的皮秒激光切除 (CAPLA) 方法.
• 为了提高SiC激光加工的表面质量,而不会损失效率.
• 为了研究和减轻沉积层的形成.

主要方法:

• 开发了使用牺牲光电阻涂层的CAPLA方法.
• 系统地研究激光参数和涂层特性.
• 将CAPLA与直接激光切除进行比较.

主要成果:

• 使用CAPLA实现了没有沉积层的表面.
• 优化处理,低脉冲能量和高扫描数量.
• 在SiC上展示了针阵列和真空槽的制造.

结论:

• 通过防止等离子体与基质接触,CAPLA有效地防止了沉积层.
• 该方法为高精度SiC元件制造提供了一个有前途的方法.
• 涂层厚度会影响加工效率和脉冲能量限制.