低值绿色激光在异质集成的基于InGaN的微环中,覆盖在Si (100) 上的分布式布拉格反射器
Optics express
|November 14, 2024
概括
研究人员开发了一种方法,将基于GaN的薄膜转移到上,使微环腔中低值绿色激光成为可能. 这一突破为平台上的集成光子学铺平了道路.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 光电学是指光电子产品.
- 纳米技术纳米技术
背景情况:
- 在先进的光子设备上,III-化物材料在上的异质整合至关重要.
- 在上制造高质量的微腔体面临重大挑战.
- 基于化物的集成光学需要高效的光源,与平台兼容.
研究的目的:
- 为了证明亚微米厚的基于GaN的薄膜在晶圆尺度上的转移到Si (100).
- 制造和表征基于化物集成光子的低值微环腔.
- 在平台上实现高效的室温连续波 (CW) 激光.
主要方法:
- 晶圆粘合,激光提升,以及用于薄膜转移的化学机械抛光.
- 制造干蚀绿色微环腔.
- 介电分布式布拉格反射器 (DBR) 的集成,以增强光学封闭.
主要成果:
- 基于GaN的薄膜在晶圆尺度上成功地转移到Si (100).
- 在DBRs的微环腔中展示了低值的光学送激光.
- 实现了高质量因子 (Q) ~3800和室温CW激光在521.7nm,超低值为0.35kW/cm2.
结论:
- 埋葬DBR层显著改善了WGM微腔封闭.
- 开发的方法允许在上使用低值的微激光.
- 为设计可见光集成光子在上的低损失波导提供了洞察力.


