相关实验视频
Updated: Jun 7, 2025
15:47
Nanofabrication of Gate-defined GaAs/AlGaAs Lateral Quantum Dots
Published on: November 1, 2013
16.2K
概括
我们展示了甲 (GaAs) 量子点激光器与化 (GaN) 光子集成电路的首次异质集成. 这一突破使O频段应用的先进光学设备成为可能.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 光电学是指光电子产品.
- 光子学是指光子学的使用方法.
背景情况:
- 化 (GaN) 平台对集成光子学具有前景.
- 不同材料的异质整合对于先进的光子设备至关重要.
- 量子点 (QD) 激光器提供高效的光发射.
研究的目的:
- 为了证明边缘发射的/ (InAs/GaAs) 量子点 (QD) 激光器在/ (AlGaN/GaN) 波导平台上的异质集成.
- 为了评估集成设备对潜在的O频段应用的性能.
主要方法:
- 微传输打印被用于将InAs/GaAs QD激光集成到AlGaN/GaN-on-sapphire波导平台上.
- 为了精确的激光对齐,在蓝宝石基板上雕刻了一条沟.
- AlGaN/GaN波导结构的设计是为了在主动和被动模式之间进行宽容的对齐.
主要成果:
- 在4微米宽的波导上测量了4.5dB/cm的TE传播损失.
- 在80mA时获得2.3mW的合输出功率,QD激光集成与脊波导.
- 合输出功率在70°C和100mA时为1.5mW,估计合效率超过20%.
结论:
- 这项工作代表了GaAs激光器件首次成功地与基于GaN的光子集成电路 (PIC) 进行异质集成.
- 结果突出了GaN作为集成光子学多功能平台的潜力,特别是O频段操作.
