基于蓝色GaN的DFB激光二极管具有MHz以下的线路宽度

科学领域:

• 光电学是指光电子产品.
• 半导体激光器半导体激光器
• 光子学是指光子学的使用方法.

背景情况:

• 分布反 (DFB) 激光二极管是光子学中至关重要的窄带光源.
• 基于短波长化 (GaN) 的DFB通常与红外对应物相比表现出较差或未报告的线宽.
• 在GaN DFB中实现狭窄的线宽对于推进短波长光子应用至关重要.

研究的目的:

• 为了呈现一个自由运行的化 (InGaN) DFB激光器在443nm运行.
• 描述开发的DFB激光器的内在线宽和输出功率.
• 为了研究嵌入式丝素 (HSQ) 表面格子的性能,以减少线宽.

主要方法:

• 为InGaN DFB激光器制造一级嵌入式HSQ表面格子.
• 在443 nm的DFB激光器的连续波 (CW) 操作.
• 频噪声测量使用交叉相关的自我异质频率区分器.
• 使用1/π整合和β分离线整合方法估计线宽.

主要成果:

• 一个自由运行的InGaN DFB激光在443nm运行成功演示.
• 在40mW的连续波输出功率下,实现了685kHz的内在线宽.
• 这一性能归功于使用一级嵌入式HSQ表面格子.

结论:

• 开发的InGaN DFB激光器为短波长应用提供了线宽的显著改进.
• 嵌入式HSQ网格在基于GaN的DFB中有效地实现狭窄的内在线宽.
• 这项工作为高性能短波长光子设备铺平了道路.