耳植入后的耳负担和耳恶化是否受到插入技术,阵列脱位和耳内创伤的影响?
F Everad1, R L Beck1, A Aschendorff1
1Department of Otorhinolaryngology, Faculty of Medicine, Medical Center - University of Freiburg, Freiburg, Germany.
Frontiers in neurology
|November 14, 2024
概括
耳植入器 (CI) 显著降低了耳的负担. 佩戴语音处理器也减少了耳的强度,尽管人们担心电极阵列的脱.
科学领域:
- 耳鼻喉科 耳鼻喉科 耳鼻喉科
- 神经外科 神经外科
- 听力学 听力学是指听力学.
背景情况:
- 耳植入器 (CI) 通常可以缓解耳,但有些患者经历了恶化.
- 导致CI后耳恶化的原因,包括电极阵列脱,尚未完全理解.
研究的目的:
- 为了调查电极阵列脱位造成的耳创伤是否会影响耳的强度和负担.
- 评估CI插入技术,深度,角度和耳形态对术后耳的影响.
主要方法:
- 对66名IC接受者进行前性研究,进行了手术前后的耳声评估.
- 数字体积断层扫描用于标尺位置,插入深度和形态学.
- 耳负担 (问卷) 和强度 (视觉模拟尺度) 评估.
主要成果:
- 由于标尺位置或脱位, tinnitus 强度或负担没有显著差异.
- 一年后,IC显著降低了整体耳声负担.
- 在佩戴语音处理器时,耳声的强度显著下降.
结论:
- 耳植入物有效地减少了耳的负担.
- 通过语音处理器的电刺激显著降低了耳的强度.
- 错位的低发病率限制了对其影响的统计结论.
