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Gyeongpyo Kim1, Doheon Yoo2, Hyojin So1

  • 1Division of Electronics and Electrical Engineering, Dongguk University, Seoul 04620, South Korea. sungjun@dongguk.edu.

Materials horizons
|November 14, 2024
PubMed
概括

这项研究展示了一种使用酸量子点 (InGaP QD) 和氧化 (HfO2) 进行高效的突触仿真的新型记忆器. 该设备显示了快速切换速度和低功耗,提高了神经形态计算精度.