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Updated: Jun 2, 2026
15:47
Nanofabrication of Gate-defined GaAs/AlGaAs Lateral Quantum Dots
Published on: November 1, 2013
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使用双面板结构的Ge-on-Si单光子雪崩二极管
Optics letters
|November 15, 2024
概括
对于对单光子雪崩二极管的新型双层结构显著提高了性能. 这种设计减少了暗电流和暗计数率,使光子检测应用程序的噪声降低和效率提高.
科学领域:
- 光电学是指光电子产品.
- 半导体设备物理学的物理
背景情况:
- 对 (Ge-on-Si) 技术对于集成光子学至关重要.
- 单光子雪崩二极管 (SPAD) 对于量子信息和传感至关重要.
- 传统的SPAD设计面临着黑暗电流和边缘故障的挑战.
研究的目的:
- 引入和实验验证一种新的双面结构,用于Ge-on-Si SPADs.
- 为了证明在黑暗电流,黑暗计数速率和中性能改善.
- 为了实现高单光子检测效率与低噪音.
主要方法:
- 使用双面板结构制造Ge-on-Si SPAD.
- 在低温 (110 K) 时在线性和盖格尔模式下进行电气表征.
- 测量暗电流,暗计数速率,单光子检测效率和动.
主要成果:
- 双倍的梅萨结构抑制了电场在梅萨边缘拥挤的情况.
- 在低温下,黑暗电流在低温下减少了260倍以上,而与单一的 mesa 相比.
- 在110K时,暗数计数率减少了100倍.
- 实现了953 kHz的暗计数率,7.3%的检测效率和81 ps的动.
结论:
- 双面板设计为Ge-on-Si SPADs提供了显著的优势.
- 这种结构使得暗光数量大大减少,并提高了运行稳定性.
- 证明的性能指标为Ge-on-Si SPADs建立了一个新的基准.
