在灵活的矿电阻随机访问记忆中,通过八氨基多面寡合式silsesquioxane修饰获得卓越的稳定性和电阻切换性能

Ping Guan1, Shuaixin Wu1, Haoyan Meng1

  • 1School of Materials Science and Engineering, Zhengzhou University, Zhengzhou 450001, People's Republic of China.

PubMed
概括

这项研究引入了一种新的POPA修改,用于有机-无机混合矿RRAM,显著提高稳定性和性能. 经过修改的矿记忆装置在恶劣条件下显示出出色的阻力切换和耐用性.