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Updated: Aug 5, 2026

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Fabrication of Silica Ultra High Quality Factor Microresonators
Published on: July 2, 2012
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概括
对光子集成电路 (PIC) 进行精确的有效和组折射率 (neff,ng) 在在绝缘体 (SOI) 肋带波导中的测量至关重要. 本研究使用微环共振器 (MRR) 提取这些参数,从而能够精确地评估波导尺寸.
科学领域:
- 光子学是指光子学的使用方法.
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 集成光学 集成光学 集成光学
背景情况:
- 准确确定有效 (neff) 和群 (ng) 折射率对于光子集成电路 (PIC) 设计至关重要.
- 在绝缘体 (SOI) 技术是PIC的关键平台,需要精确的光学属性表征.
研究的目的:
- 展示一种方法来提取neff和ng的SOI肋带波导.
- 为了估计这些波导的横截面尺寸,非侵入性地.
- 通过实验测量来验证提取的尺寸.
主要方法:
- 使用来自两个赛道微环共振器 (MRR) 的传输光谱,具有不同的周长.
- 使用提取的neff(λ) 来估计波导的横截面尺寸.
- 将估计的尺寸与扫描传输电子显微镜 (STEM) 分析进行比较.
主要成果:
- 实现了neff和ng的提取,不确定性约为10-3.
- 估计的波导尺寸 (宽度,高度,板厚) 与STEM分析 (约. 1% 的差异).
- 证明了折射率提取和非侵入性维度评估的通用方法.
结论:
- 拟议的方法可以准确地提取光学波导的参数.
- 这种技术为描述光子设备提供了一个非侵入性和多功能工具.
- 该方法适用于各种PIC平台的设计和验证.

